Dispositivos electronicos para WPT

 Los MOSFET no son los preferidos para el funcionamiento en frecuencia de MHz, Esto se debe a tiempos de encendido y apagado más lentos causados ​​por valores más altos de capacitancias de compuerta. [1].

, los dispositivos de banda ancha (WBG) como el carburo de silicio y el nitruro de galio son los preferidos para estas aplicaciones, ya que tienen una mayor velocidad de saturación de electrones [33]

los dispositivos WBG tienen una resistencia en estado encendido (Rds,on) más baja debido al alto campo eléctrico crítico [34]

tienen un voltaje de ruptura más alto en comparación con los dispositivos de Si debido a la banda ancha de energía.  [33]

En comparación con el MOSFET de GaN, el SiC tiene un Rds más bajo a temperatura ambiente y puede operan a temperaturas mucho más altas que los MOSFET de Si y GaN, ya que tienen menores fugas corrientes y conductividades térmicas más altas [1]. 

La capacidad de los dispositivos GaN también se puede aumentar mediante el uso de estructuras verticales en lugar de estructuras laterales [35] https://ieeexplore.ieee.org/document/9842310/

Bibliografia

[1] A. Laha, A. Kalathy, M. Pahlevani, and P. Jain, “A Comprehensive Review on Wireless Power Transfer Systems for Charging Portable Electronics,” Eng, vol. 4, no. 2. Multidisciplinary Digital Publishing Institute (MDPI), pp. 1023–1057, Jun. 01, 2023. doi: 10.3390/eng4020061.

[33] Choi, J.; Tsukiyama, D.; Rivas, J. Comparison of SiC and eGaN devices in a 6.78 MHz 2.2 kW resonant inverter for wireless power transfer. In Proceedings of the IEEE Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), Milwaukee, WI, USA, 18–22 September 2016; pp. 1–6 https://ieeexplore.ieee.org/document/7854938/

[34] Stevanovic, L.D.; Matocha, K.S.; Losee, P.A.; Glaser, J.S.; Nasadoski, J.J.; Arthur, S.D. Recent advances in silicon carbide MOSFET power devices. In Proceedings of the Twenty-Fifth Annual IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (APEC), Palm Springs, CA, USA, 21–25 February 2010; pp. 401–407

[35] Pandey, P.; Nelson, T.M.; Collings, W.M.; Hontz, M.R.; Georgiev, D.G.; Koehler, A.D.; Anderson, T.J.; Gallagher, J.C.; Foster, G.M.; Jacobs, A.; et al. A Simple Edge Termination Design for Vertical GaN P-N Diodes. IEEE Trans. Electron Devi